|
Дислокационный рост
[dislocation growth] – тангенциальный (послойный) рост к-ла путем распространения слоев роста от точки выхода винтовой или смешанной дислокации на поверх. Дислокация не может закончиться в к-ле, поэтому вокруг нее образуется непрерывный геликоидальный слой, и т. о. энергия активации образования слоя минимизируется практически до нуля. Высота слоя определяется вектором Бюргерса. Обычно рост к-лов осуществляется за счет ансамбля винтовых дислокаций одинакового и противоположного знаков, и слои роста, генерируемые разными дислокациями, взаимодействуют друг с другом в разных комбинациях, формируя на поверх. вицинали. Ансамбли ступеней на дислокациях одинакового знака не ограничены по длине и развиваются при любых движущих силах кристаллизации. Дислокации противоположного знака формируют замкнутую ступень, которая растет, если ее длина превышает размер критического зародыша при данном пересыщении; поэтому для роста при повышенной концентрации дислокаций могут потребоваться достаточно высокие пересыщения. Открытие Д. р. было одним из наиболее значимых событий для теории роста к-лов, объяснившим распространенное явление роста при сколь угодно малых пересыщениях, противоречившее классической теории. Морфологическое проявление Д. р. впервые описал Г.Г. Леммлейн (1945) без указания на его природу и переоткрыл Ф. Франк, предложивший и разработавший с В. Бартоном и Н. Кабрерой основы теории (Burton V., Kabrera N., Frank F.C., 1949).
|
