|
Захват примеси
[impurity capture by crystal] – вхождение в к-л чужеродных или изоморф. частиц путем последовательных актов адсорбции, встраивания в излом ступени и перекрытия новыми слоями роста. Количественно З. п. определяется коэффициентом распределения (кристаллогр.) примеси. При достаточно медленном и быстром росте происходят соответственно равновесный и неравновесный З. п. В случае неравновесного З. п. возможна некоторая релаксация путем твердофазовой диффузии и ухода примеси в среду. Неоднородный З. п. определяет зональность кристалла и секториальность кристалла.
|
