|
Сингулярность граней кристалла
[от лат. singularis – особенный; singularity of crystal faces] – энергетич. характеристика грани, отображаемая минимумами на полярных диаграммах свободной энергии (Вульф Г.В., 1895; Herring C., 1951). Сингулярные грани растут по тангенциальному механизму и имеют преимущественное развитие на к-ле благодаря малой скорости своего роста; они имеют высокую ретикулярную плотность и соответствуют гладким F-граням. Напротив, значения свободной энергии несингулярных поверх. находятся вне окрестностей минимума, они растут по нормальному механизму, генерируя характерные ячеистые поверхности, и быстро выклиниваются благодаря большой скорости роста; соответствуют ступенчатым и шероховатым S- и K-граням. Вицинали характеризуются значениями свободной энергии в окрестностях минимума, их появление сопровождает и нормальный, и тангенциальный рост. Расчет свободной энергии возможен для роста в однокомпонентных газ. средах, в др. средах С. г. к. может проявляться у др. граней благодаря действию примесей. См. Рост кристалла, Периодическая цепочка связи.
|
