|
Установка кристалла
[setting of crystal] – выбор координатных осей и единичных отрезков (параметров кристалла). Координатные оси X, Y, Z параллельны плотным рядам решетки и характеризуются параметрами a, b и c соответственно и углами α, β и γ между ними в плоскостях YZ, XZ и XY. Ориентировку X, Y и Z, значения α, β и γ, соотношение a, b и c, символы граней и символы направлений определяют для каждого к-ла в индивидуальной системе координат в соответствии с его сингонией. При морфологической У. к. исходят из параллельности плотных рядов решетки осям симметрии или ребрам к-ла. Ромбоэдрич. У. к. триг. синг. также является трехосевой. Кристаллографические оси симметричны относительно гл. оси L3 к-ла, а углы между ними равны друг другу, но произвольны по цифровому значению. Единичная грань – моноэдр или пинакоид.
|
