|
Грань кристалла
[crystal face] – поверх. к-ла, параллельная плоским сеткам кристаллич. решетки. Ориентировка Г. к. измеряется методами гониометрии и обозначается сферич. координатами и символом грани. Принадлежность Г. к. простой форме и ее симметрия определяются видом симметрии к-ла. Г. к. образуется при послойном росте к-ла, поэтому основным элементом ее рельефа является ступень (кристаллогр.), ограничивающая слой роста. Высота ступени колеблется от атомарной до макроскопич., а длина – от двумерного критического зародыша до размера Г. к. Ступень имеет изломы – позиции присоединения или отрыва частиц при росте или растворении к-ла. Энергетич. условие формирования Г. к. – сингулярность граней кристалла, которая в простейшем случае однокомпонентной газ. системы определяется расположением в к-ле периодических цепочек связи. Реальные Г. к. имеют разное развитие и несут на себе разнообразные неровности рельефа (вицинали, штриховки, элементы скелетного роста, ямки травления, признаки мозаичного к-ла, расщепления и пр.), что отражает особенности формирования к-ла. Однако эти признаки малоинформативны для реконструкции условий образования м-лов из-за высокой конвергентности, обусловленной многофакторностью процесса огранения.
|
