|
Квазиэпитаксия
[Гликин А.Э., 2004; quasiepitaxy] – закономерное нарастание к-лов на кристаллич. или аморф. подложку в результате ориентировки зародышей анизотропными силами дальнодействия кристалла в процессе адгезии при гомогенном зарождении кристалла. Ансамбль к-лов, нарастающих на подложку, характеризуется максимумом распределения по углам ориентировки и смежным с ним минимумом, который обусловлен доворотом зародышей, близких к квазиэпитаксиальному положению (минимум распределения может служить признаком отличия К. от эпитаксии в частном случае срастания кристаллохимически соответственными поверх.). К проявлениям К. относятся текстуры ориентированных к-лов, закрепленных на подложке ребрами или вершинами (эффект Стулова).
|
