|
Эпитаксия
[epitaxy] – ориентированное срастание к-лов, обусловленное их кристаллохимич. соответствием, качественно характеризуемым правилом Руайе. Э. реализуется гл. обр. при ориентированном гетерогенном зарождении к-лов на подложке. Ансамбль нарастающих к-лов имеет максимум распределения по углам ориентировки – острый или размытый в зависимости от степени Э. При достаточно сильной связи между подложкой и осадком (зарождение по механизму Франка – ван дер Мерве) ухудшение кристаллохимич. соответствия приводит к ухудшению Э., а при слабой связи (зарождение по механизму Фольмера – Вебера) закономерность может быть обратной. Степень Э. зависит от кинетики процесса, ухудшаясь при увеличении скорости роста (растворения) подложки и уменьшении скорости роста осадка, что может служить типоморфным признаком (Гликин А. Э., 2004). Закономерная ориентировка нарастающих к-лов в отсутствие кристаллохимич. соответствия осуществляется силами дальнодействия при гомогенном зарождении и адгезии (квазиэпитаксия, эффект Стулова), в т. ч. на подложке с искусств. микрорельефом (графоэпитаксия).
|
