|
Растворение кристалла
[crystal dissolution] – комплекс процессов, обеспечивающих уменьшение к-ла за счет отрыва частиц от специфич. точек поверх. Механизмы и факторы Р. к. принципиально аналогичны таковым для роста к-ла и кинетики кристаллизации. Существенное отличие состоит в ускоренной кинетике, а также в том, что дефекты кристалла, вызываемые растворением, не распространяются на его объем. При относительно небольших недосыщениях Р. к. осуществляется за счет ступеней, источниками которых являются ребра и вершины к-ла (дополнительного зарождения слоев не требуется). При этом Р. к. стабильнее, чем рост (для сопоставимых недосыщения и пересыщения), а форма к-ла представлена округлыми поверх. При достаточно глубоких недосыщениях Р. к. происходит преимущественно за счет ступеней, источниками которых являются дислокации (кристаллогр.), и к-л приобретает кавернозную поверх. Формы Р. к. обычно отличаются от форм роста округлыми контурами к-ла, наличием фигур травления, спецификой фотогониометрич. рефлексов, особенностями зональности к-ла. Р. к. является первичной стадией процесса метасоматич. замещения кристалла. Растворение смешанного к-ла (см. Изоморфизм) – особый случай, для которого характерна комбинация с монокристаллическим замещением (Гликин А.Э., 2004), что проявляется в рельефе поверх. как сочетание форм замещения и послойного растворения при убывании доли замещения с перегревом.
|
